周林磊跑到安河来给红泽电机厂当临时总工,还帮着秦海唱了出戏坑了刘序平,全都是因为秦海答应替他解决🅑🅺🋫有关航母弹射器的有关技术问题。△现在他该干的事情都已经干完了,也到要求秦海给予回报的时候了。

    “秦总,我一个堂堂的航🜲🆁🌪母工程师,跑来给你们这样一家小电机厂跑龙套,你这个当董事长的,怎么也得表示表示吧?”周林磊努力装出一副很有江湖经验的样子,向秦海说道。不过,他那微微有些涨红的🚾🙀脸暴露了他的真相,这老爷子其实真的不擅长于搞这种讨价还价的把戏。

    “周工说得极是。”秦海忍着笑说道,“为了感谢周工给我们帮的这些忙,我们集团特地准备了一🂳些安河的土特产,等周工走的时候,我🁾🋙会安排人给你送到机场去,帮你办好托运,绝对不用周工费什么力气。”

    “土🉙🇬特产?”周林磊连连摆手,“这个我可不要。”

    “怎么,周工🜟是要现金吗?哎呀,这个我们财务上有点不太方便操作,要不我让会计再想想办法?”秦海假意地皱着眉头道,其实这有什么困难的🋆🗆,只是秦海知道周林磊是绝对不可能接受现金酬劳的,就算秦海想给,周林磊也不会🞣要,所以他才故意这样说。

    果然,周林磊听到现金二字,更加窘了,脸都变成了酱紫色🏾☃☓:“小秦,你可千万别这样做,我是受冀老的指示来给你们帮忙的,这也是我的本职工作,如果拿了你们钱,那就是犯纪律了,这是绝对不允许的事情!”

    “你不要土特产。又不要现金🕫🌥,那周工刚才说表示表示,是什么意思呢?我怎么不太明白啊。”秦海说道。

    周林磊讷讷地说道:“这个不是很明白的事情吗……你在冀老那里可答🈮🁪应过🆸🔕🀟我不少事情,现在你的问题解决了🅑🅺🋫,是不是也该考虑一下怎么帮我们部队解决问题了。”

    “哈🉙🇬哈,原来是这事👳。周工😬🄞⚑你早这样说,不就得了?”秦海哈哈笑着说道。

    “你个小秦,我就🐁☝知道你肯定能听懂,你就是故意逗我这个老头子,对不对?”周林磊佯装恼火地斥道,他今年50多岁,在秦海面📢🜤🄆前倒也能够自称是老头子了。当年不时兴扮嫩,大家都是以老为荣的。

    秦海知道周林磊是个老实人,一门心思都放🉎🆐🎪在他的航母事业上。于是也不便再装傻了。他点点头说道:“周工,你放心吧,我前几天一回到安河,就已经开始安排这件事了。我了解过了,石墨润滑材料的研究,现在已经有了很大的突破,预计一年之内就能够见到工业化生产的成品了。超级电容的研究工作,现在已经安排了一个团队。超导研究是京城大学超导研究中心在搞。在京城的时候,我和陈宗则教授谈过。他很有信心🅡🈊☓。至于稀土永磁材料……”

    “这个我已经和孙玉智老师交流过了,他现在手头正在搞的铈基永磁材🈮🁪料,的确非常有潜力,我对此非常有信心。”周林磊替秦海回答道。

    秦海道:“🉕是的,我也和孙教授谈过了,他说他已经明白你🏾☃☓的需求。而且会很快把精力转移到这方面来🚖。”

    “这可太好了!”周林磊脸上乐开了花,“这么多难题,我可是一🏨🜥🄓筹莫展,想不到在小秦你们这里都能够迎刃而解,难怪冀老那么看重🖿😚你。”💊

    “呵呵。周工,你还没问完呢🕫🌥,igbt的问题,你就不关心了吗?”秦海问道。

    “igbt……”周林磊摇了摇头,“🏌😯🄼这个难度有点大了,都压到你小秦身上,我都🇂🕰🍓有些于心不忍了。你不知道,那次和你在冀老那里聊过之后,我给研究院打了一个报告,提出在国外采购一部分igbt元件,研究院已经把这份报告报到科工委那里去了。igbt的技术,我们最终肯定是要掌握的,但短期内,通过采购来弥补技术上的不足,还是可行的。”

    所谓igbt,是“绝缘栅双极型功率管”的简称,用最简单的话来说,它就是一种大功率的电子开关,通过控制栅极上的电压,可以实现导通和关断的转换。与机械式的开关相比,电子开关的响应速度可以高达每秒几🉨🉹🌓十万次,而且不会有因为反复开关而损坏的担忧。收音机里的三极管也是一种电子开关,igbt可以被视为一种特殊的三极管,其特点在于耐压更高、电流更大、速度更快以及可靠性🁼更好等等。

    igbt的概念最早是在70年代末提出来的,80年代初由美国ge公司和rca公司分别研制成功。从1986年起,igbt开始得到正🇣🚛🔈式生产并逐渐形成了系列化。在随后这些年,igbt的技术不断更新,1988年出现的是第一代,称为平面穿透型;1990年出现了第二代,为改进的平面穿透型;1992🞛🔳年为第三代,即沟槽型;1997年出现了第四代,称为非穿透型;2001年出现了电场截止型;2003年出现👎🇭了沟槽型电场截止型……

    半导体厂商们在igbt技术上不断推陈出新,是有其原因的,那就是igbt的使用范围十分广泛。大到轨道交通、航空航天、电力、石油等国民经济支柱部门,小到变频家电、数码相机、电磁炉等消费电子产品,统统都能够找到igbt的身影。这样庞大的市场,自然能🞉💑够引得无数天下英雄竞折腰。

    然而,要掌握igbt的制造技术,也并非易事。igbt是一种工作原理非常复杂的器件,几乎集成了所有半导体器件的基🚢本结构。要制造出满足要求的igbt器件,涉及到光刻、氧化、离子注入、热扩散、淀积多晶硅等一系列的微电子制造工艺。为了降低导通电阻,工程师们不断降低单元胞的尺度、增加并联的元胞数量,为此,igbt的制造工艺规则从5微米下降到了0.5微米,而晶片尺寸则由4英🅴寸提高到6英寸、8英寸。